本品主要用於MEMS微機械、微光學器件和大功率晶閘管、可控硅等半導體器件的製作，具有高感度，工藝寬容度大，抗刻蝕性好等顯著特點，尤其適合強曝光、速顯影工藝。
超高感度 高抗刻蝕性能 工藝寬容度大 耐熱性好
勻膠(Coating)：旋轉塗布(spin) t=23℃, 濕度(humidity):<50% 前烘(Prebake)：90℃×30min,對流烘箱 曝光(Exposure)：90~200mJ/cm2 顯影(Developing)：2.38%TMAH 23℃×60~150sec, 后烘(Postbake)：120℃×20min, 對流烘箱
