本品主要用于MEMS微机械、微光学器件和大功率晶闸管、可控硅等半导体器件的制作，具有高感度，工艺宽容度大，抗刻蚀性好等显著特点，尤其适合强曝光、速显影工艺。
超高感度 高抗刻蚀性能 工艺宽容度大 耐热性好
匀胶(Coating)：旋转涂布(spin) t=23℃, 湿度(humidity):<50% 前烘(Prebake)：90℃×30min,对流烘箱 曝光(Exposure)：90~200mJ/cm2 显影(Developing)：2.38%TMAH 23℃×60~150sec, 后烘(Postbake)：120℃×20min, 对流烘箱
